Caractérisation des émissions donneur-accepteur dans ZnSeReport as inadecuate




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Résumé : Cet article traite des émissions de paires donneurs-accepteurs D.A.P. dans le ZnSe cubique et des émissions bande de conduction-accepteurs BC-A qui leur sont corrélées. Les mesures directes des positions des maximums des bandes d-émission sous excitation ne sont pas assez précises pour permettre de faire un choix entre les différents donneurs et accepteurs possibles. Nous faisons d-abord un ajustement avec la théorie de Eagles pour les bandes BC-A ; puis un programme de calcul des profils d-émission D.A.P. conduit à la valeur de l-énergie coulombienne d-interaction et permet d-obtenir l-énergie d-ionisation des donneurs. Des expériences de thermoluminescence donnent des profondeurs de pièges corrélées aux accepteurs observés ainsi qu-à des pièges plus profonds. Pour finir on discute les conditions d-observation des différentes bandes d-émission.

Keywords : deep levels heavily doped semiconductors II VI semiconductors luminescence of inorganic solids photoluminescence thermoluminescence zinc compounds





Author: G. Hitier B. Canny J.F. Rommeluere

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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