Lois de variations et ordre de grandeur de la conductivité alternative des chalcogénures massifs non cristallins.Report as inadecuate




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Résumé : L-étude de la conductivité alternative σω des chalcogénures massifs non cristallins Se, As2S3, As2Se 3, As2Te31-xGex, Se 1-xGex a été effectuée dans de grands domaines de fréquence 1 kHz-35 GHz et de température 100-300 K. Deux effets de contact, l-un observable aux basses fréquences et l-autre au-dessus de 1 MHz, ont été décelés. On en déduit les lois de variations de σω intrinsèques aux chalcogénures massifs : i δω est proportionnel à ωdans le domaine de fréquence considéré ; ii σω est indépendant de la température aux basses fréquences ; iii son ordre de grandeur est indépendant du matériau étudié. Les mécanismes de conduction par sauts d-électrons, tels qu-ils sont définis actuellement, ne sont pas compatibles avec la dépendance en fréquence observée expérimentalement. L-accord avec le modèle des systèmes à deux niveaux semble plus satisfaisant. Il impliquerait une distribution des hauteurs de barrière de potentiel indépendante de l-énergie, une quasi-symétrie des doubles puits et, selon notre calcul, un nombre de systèmes à deux niveaux compris entre 1019 et 10 20 par centimètre cube.

Keywords : amorphous semiconductors arsenic compounds chalcogenide glasses electrical conductivity of amorphous semiconductors and insulators elemental semiconductors germanium compounds selenium selenium compounds tellurium compounds





Author: X. Le Cleac-H

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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