MÉTHODE DU PIÉGEAGE SELECTIF. ÉTUDE DES DÉFAUTS ET DE LA DIFFUSIONReport as inadecuate




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Résumé : Lors d-une irradiation ou d-une implantation créant des déplacements atomiques, les interstitiels et les lacunes sont évidemment créés en nombres égaux, d-où une grande difficulté a séparer les effets provenant de l-un ou de l-autre type de défauts. A part la résonance paramagnétique électronique RPE, aucune méthode ne permet de préciser la nature du défaut interstitiel ou lacune. La RPE ne permet pas de détecter les défauts qui ne possèdent pas un électron célibataire. Or, nous avons montré que la réponse d-un semi-conducteur à une irradiation était très souvent dominée par la nature et la concentration d-impuretés électriquement neutres comme le carbone ou l-oxygène. Nous avons donc imaginé et développé une méthode qui permet de mesurer de façon quantitative l-interaction défaut-impureté. La nature du défaut interstitiel ou lacune est déterminée de façon certaine grâce au piégeage sélectif des lacunes sur des impuretés convenablement choisies. En effet, la concentration de lacunes susceptibles d-interagir avec d-autres impuretés dans de tels échantillons est beaucoup plus faible que celle créée dans des échantillons ne contenant pas de piège sélectif. Cette méthode nous a permis de faire en particulier un tableau complet de l-interaction des défauts simples avec les impuretés électriquement neutres dans le silicium oxygène, carbone, étain, germanium. Nous montrons sur deux exemples paire silicium interstitiel-carbone et paire silicium interstitiel-oxygène la clarté des informations que l-on peut obtenir en utilisant cette méthode. Le champ d-application de la méthode est très vaste. Nous indiquons ce qu-elle peut apporter dans l-explication des phénomènes de diffusion en particulier.





Author: A. Brelot

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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