Conséquences dune injection tunnel Fowler-Nordheim dans des structures MOS à oxyde minceReport as inadecuate




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Résumé : Le comportement de structures MOS à oxyde mince et à grille Si-Poly ou Al, soumises à une injection de porteurs dans SiO2 par mécanisme tunnel Fowler-Nordheim, a été étudié. Les centres de capture initialement présents dans la couche isolante de la grille ont été caractérisés par leur section efficace, leur localisation spatiale et leur concentration. Leur remplissage est indépendant de la polarité de la tension appliquée. De plus, nous avons montré qu-il y a dégradation progressive des deux interfaces délimitant la couche de SiO2. Celle-ci correspond à une génération de nouveaux sites électroniques qui ne sont pas de simples états d-interface, mais apparaissent comme des pièges induits dans SiO2. Leur taux de création et leur densité dépendent de la technologie d-élaboration. Leur génération joue un rôle déterminant quant au mécanisme de fiabilité de tels dispositifs.

Keywords : impurity electron states ion implantation metal insulator semiconductor structures Fowler Nordheim injection thin oxide MOS structure capture centres SiO sub 2 capture cross section density centroid trapping gate bias polarity aging mechanism interface degradation





Author: B. Balland C. Plossu S. Bardy P. Pinard

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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