Etude de la capacité de stockage maxima dans un dispositif à transfert de charges en volumeReport as inadecuate




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Résumé : Pour minimiser les effets relatifs dus au courant d-osbcurité de génération recombinaison, au piégeage en volume et en surface et pour augmenter la sensibilité du système de lecture, un dispositif à transfert de charges D.T.C. doit pouvoir stocker et transférer une charge-signal importante. L-objet de ce travail est d-étudier la capacité de stockage en volume d-un D.T.C. à canal épitaxié en fonction des différents paramètres technologiques tant électriques que géométriques. Il sera de plus tenu compte des effets bi-dimensionnels dus à l-espace interélectrodes.

Keywords : charge coupled devices silicon Si charge coupled device buried channel CCD signal charges parasitic effects dark current generation bulk state trapping read out circuitry charge handling capacity





Author: D. Rigaud D. Sodini A. Touboul K. Torbati

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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