Etude de la topographie du travail de sortie du silicium et de loxyde de siliciumReport as inadecuate




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Résumé : Dans le but d-étudier l-homogénéité et la qualité d-oxydes de silicium la topographie du travail de sortie a été déterminée sur des oxydes de différentes épaisseurs 80 Å à 550 Å. L-influence de différents paramètres est présentée : l-épaisseur de l-oxyde, son processus de fabrication ambiance sèche ou humide

. et les traitements subis nettoyages



Après avoir enlevé la couche d-oxyde les topographies du travail de sortie de substrats de silicium sont mesurées. Les différents échantillons sont analysés par spectrométrie Auger. L-influence du décapage ionique et du bombardement électronique sur la mesure du travail de sortie est présentée.

Keywords : elemental semiconductors silicon silicon compounds work function Si SiO sub 2 work function topography homogeneity





Author: J.L. Chartier L. Pilorget R. Le Bihan

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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