Propagation dune onde infrarouge guidée en présence de porteurs libresReport as inadecuate




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Résumé : Les modes de propagation d-un guide d-onde 10,6 μm de surface en arséniure de gallium sont profondément perturbés par l-injection de photoporteurs. Une étude théorique du phénomène est présentée, ainsi que quelques résultats expérimentaux.

Keywords : electro optical effects gallium arsenide high frequency effects III V semiconductors optical waveguide theory modes of propagation injection of photocarriers propagation of guided infrared wave effect of free carriers GaAs 10.6 micrometre slab waveguide





Author: A. Azema J. Botineau F. Gires A. Saïssy C. Vanneste

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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