DIFFUSION DE LALUMINIUM DANS LE SILICIUM CRISTALLIN PAR RECUIT LASER SEMI-CONTINUReport as inadecuate




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Résumé : La diffusion atomique de l-aluminium dans le silicium monocristallin et polycristallin à petits grains diamètre voisin de 10 µm a été étudiée dans le domaine de température 1100-1400°C. Les échantillons subissent une implantation d-aluminium, un recuit laser semi-continu en phase solide, puis une analyse au microanalyseur ionique. Utilisant un modèle thermique dérivé de celui de GOLD et GIBBONS, on retrouve pour les monocristaux entre 1400°C et 1200°C le coefficient de diffusion Dv généralement admis, d-énergie d-activation 3,4 eV ; dans les polycristaux apparaît au-dessous de 1300°C une diffusion intergranulaire Dj, d-énergie d-activation beaucoup plus faible.





Author: C. Leray J. Bouree M. Rodot

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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