Croissance et caractérisation dinterfaces de fullerènes sur substrats métalliques et semiconducteursReport as inadecuate




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Résumé : Cet article présente les changements des propriétés structurelles, électroniques et vibrationnelles du C60 induits par son interaction avec un substrat semiconducteur ou métallique. La structure de la première couche de fullerène dépend essentiellement de l-accord entre les paramètres réticulaires du C60 et du substrat, ainsi que de la réactivité du substrat et de sa tendance à la reconstruction. L-influence de chacun de ses facteurs sur la géométrie d-interface est illustrée. Les mesures de photoémission directe et inverse montrent une polarisation de la molécule de C60 lorsqu-elle est physisorbée sur un semiconducteur lamellaire, le GeS. Pour le C60 chimisorbé sur des substrats métalliques, avec ou sans transfert de charge, ces mesures révèlent, par contre, une hybridation importante des orbitales moléculaires occupées et inoccupées avec les états du métal. La spectroscopie vibrationnelle de ces interfaces met en évidence les conséquences de la rupture de symétrie à l-interface, ainsi que des effets de couplage électron-phonon quand existe un transfert de charge du substrat vers la molécule.





Author: P. Rudolf G. Gensterblum R. Caudano

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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