en fr Self-assembly of oxide monolayers by wet chemistry for microelectronic applications. Dépôt séquentiel de monocouches doxyde par voie humide pour la microélectronique. Report as inadecuate




en fr Self-assembly of oxide monolayers by wet chemistry for microelectronic applications. Dépôt séquentiel de monocouches doxyde par voie humide pour la microélectronique. - Download this document for free, or read online. Document in PDF available to download.

1 LPMC - Laboratoire de physique de la matière condensée

Abstract : Self-assembly chemistry offers a good method to obtain dense and high quality oxide films for dielectric applications as well as hybrid systems. Using a laboratory built automate in a controlled atmosphere of nitrogen, a silicon wafer was alternatively dipped in different dilute solutions of alkoxides, phosphoric acid and water hydrolysis. Each sequence was followed by rinsing in ethanol in order to graft one monolayer only and in water to activate the substrate for the following cycle. A better control of the film density as compared to the classical sol-gel method was obtained by working w! ith very dilute solutions < 10-3 mol - L and low! withdra wal speed < 2 cm-min

Bidimensional titanium or zirconium phosphates, artificial sequences of alternate oxide layers of ZrO2n and luminescent lanthanum phosphate europium Eu3+ doped compounds have been synthesized on silicon by this self-assembly method.

Résumé : La méthode de dépôt séquentiel par voie humide est une méthode adéquate pour obtenir des films denses et de bonne qualité aussi bien pour des applications aux diélectriques que pour des composés hybrides. En utilisant un automate programmable dans une atmosphère contrôlée d-azote, un échantillon de silicium est alternativement trempé dans des solutions diluées d-alkoxydes, d-acide phosphorique et d-eau hydrolyse. Chaque séquence est suivie d-un rinçage à l-éthanol afin de greffer seulement une monocouche et dans de l-eau afin d-activer le substrat pour le cycle suivant. Un meilleur control de la densité des films par rapport au dépôt sol-gel classique est obtenue en travaillant avec des solutions très diluées < 10-3 mol - L et des vitesses de retrait lentes ! < 2 cm-min. Des films de phosphate de titane ou zirconium bidimensionnels, des dépôts alternés de couches d-oxydes ZrO2n et des couches de phosphate de lanthane dopées par de l-europium Eu3+ ont été élaborés sur du silicium grâce à cette méthode.

en fr

Keywords : Oxide Monolayer Layer-by-layer High-k Mosfet

Mots-clés : Monocouche Dépôt séquentiel Oxyde





Author: Gabriel Freiman -

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



DOWNLOAD PDF




Related documents