Mécanismes de croissance des faces {001} exactes et désorientées de GaAs par la méthode aux chlorures sous H2 : diffusion superficielle, croissance par spirale, mécanismes de désorption HCl et GaCl3Report as inadecuate




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Résumé : Un modèle théorique général de la coissance {001} de GaAs par la méthode aux chlorures sous hydrogène ou hélium a été élaboré afin de retrouver l-ensemble des résultats expérimentaux publiés. Les mécanismes de diffusion superficielle, de croissance en spirale, d-adsorption de GaCl et de désorption du chlore par H2 sous forme HCl sont analysés, en tenant compte du transfert de masse. Un second mécanisme de croissance par adsorption de GaCl en deuxième couche avec désorption de GaCl3, paramétré à partir d-expériences effectuées sous hélium, explique les remontées des vitesses de croissance observées sous hydrogène à basse température ou à fraction molaire élevée de GaCl en phase vapeur.





Author: Robert Cadoret Évelyne Gil-Lafon

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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