Design and analysis of a low noise amplifier for ultra-wide bandReport as inadecuate




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Advisors: Moreno Novella, José Ignacio

Department-Institute: Universidad Carlos III de Madrid. Departamento de Ingeniería Telemática

Degree: Ingeniería de Telecomunicación

Issued date: 2013-06

Defense date: 2013-03-05

Keywords: Electroacústica , Amplificadores , Proceso de señales

Rights: Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España

Abstract: 

En el presente estudio, se realiza un amplificador de bajo ruido para la tecnología Ultra-Wide Band UWB con líneas de transmisión y componentes discretos. El amplificador ysus componentes son examinados y simulados. El amplificador de bajo ruido es el prEn el presente estudio, se realiza un amplificador de bajo ruido para la tecnología Ultra-Wide Band UWB con líneas de transmisión y componentes discretos. El amplificador ysus componentes son examinados y simulados. El amplificador de bajo ruido es el primercomponente y la clave en el receptor y éste es uno de los principales obstáculos en variosestándares de comunicación. El amplificador de bajo ruido es una parte independiente yse requiere que proporcione un consumo de corriente muy bajo, una baja distorsión de laseñal y una ganancia muy alta.El primer y más importante paso en el diseño del amplificador de bajo ruido es laelección del transistor. La tecnología GaAs pHEMT es la elegida para el diseño delamplificador de bajo ruido a nivel del transistor. Un figura de ruido alrededor de 1,2 dBse logra para asegurar que la contribución de ruido del amplificador es tan baja como seaposible y una ganancia de alrededor de 13 dB.El programa ADS de Agilent ha sido utilizado para simular el esquema y la herramientaMomentum para optimizar el layout del diseño. Una vez se consigue tener el layoutoptimizado se procesa la PCB y se realizan las medidas experimentales pertinentes.El PFC se lleva a cabo bajo una beca Erasmus en la Universidad de Stuttgart Alemaniaen el -Institut für Elektrische und Optische Nachrichtentechnik-. +- 

In the present study, a Low Noise Amplifier LNA for Ultra-Wide Band UWB withtransmission lines and discrete components is built. These existing LNA components areexamined and simulated. The Low Noise Amplifier is the first and a key component inthe rIn the present study, a Low Noise Amplifier LNA for Ultra-Wide Band UWB withtransmission lines and discrete components is built. These existing LNA components areexamined and simulated. The Low Noise Amplifier is the first and a key component inthe receiver and this is one of the main obstacles for various communication standards.The Low Noise Amplifier as a stand-alone product is required to provide a very lowcurrent consumption, low signal distortion and high signal voltage gain transfer.The first and most important step in a Low Noise Amplifier design is the transistorselection. GaAs pHEMT technology has been chosen for the design of the LNA at thetransistor level. A noise figure around 1.2 dB is achieved to make sure noise contributionof the amplifier is as low as possible and a gain around 13 dB.ADS Agilent program has been used to simulate the schematic and Momentum tool ofADS Agilent has been used to layout it.The PFC is carried out under Erasmus student at the University of Stuttgart Germany inthe -Institut für Elektrische und Optische Nachrichtentechnik-.+- 







Author: López Fernández, Cristina

Source: http://e-archivo.uc3m.es


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Universidad Carlos III de Madrid Repositorio institucional e-Archivo http:--e-archivo.uc3m.es Trabajos académicos Proyectos Fin de Carrera 2013-06 Design and analysis of a low noise amplifier for ultra-wide band López Fernández, Cristina http:--hdl.handle.net-10016-17971 Descargado de e-Archivo, repositorio institucional de la Universidad Carlos III de Madrid Departamento de Ingeniería Telemática PROYECTO FIN DE CARRERA Design and Analysis of a Low Noise Amplifier for Ultra-Wide Band Autor: Cristina López Fernández Tutor: Jose Ignacio Moreno Novella Leganés, Junio de 2012 II Resumen En el presente estudio, se realiza un amplificador de bajo ruido para la tecnología UltraWide Band (UWB) con líneas de transmisión y componentes discretos.
El amplificador y sus componentes son examinados y simulados.
El amplificador de bajo ruido es el primer componente y la clave en el receptor y éste es uno de los principales obstáculos en varios estándares de comunicación.
El amplificador de bajo ruido es una parte independiente y se requiere que proporcione un consumo de corriente muy bajo, una baja distorsión de la señal y una ganancia muy alta. El primer y más importante paso en el diseño del amplificador de bajo ruido es la elección del transistor.
La tecnología GaAs pHEMT es la elegida para el diseño del amplificador de bajo ruido a nivel del transistor.
Un figura de ruido alrededor de 1,2 dB se logra para asegurar que la contribución de ruido del amplificador es tan baja como sea posible y una ganancia de alrededor de 13 dB. El programa ADS de Agilent ha sido utilizado para simular el esquema y la herramienta Momentum para optimizar el layout del diseño.
Una vez se consigue tener el layout optimizado se procesa la PCB y se realizan las medidas experimentales pertinentes. El PFC se lleva a cabo bajo una beca Erasmus en la Universidad de Stuttgart (Alemania) en el “Institut für Elektrische und Optische Nachrichtentechnik”. III Abs...





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