en fr Growth, structural and electro-optical properties of GaP-Si and GaAsPN- GaP single junctions for lattice-matched tandem solar cells on silicon Croissance et caractérisation des propriétés structurale et optique de coucheReport as inadecuate




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1 FOTON - Fonctions Optiques pour les Technologies de l-informatiON

Abstract : This thesis focuses on optimizing the heterogeneous growth of IIIN- V solar cells on GaP 001 and GaP nanolayers on Si 001. The goal is to build high efficiency solar cells on low-cost substrate for the realization of concentrated photovoltaic powerplant. The main results shows: - AlGaP as prenucleation layer increase the annihilations of anti-phase boundaries at the GaP-Si interface harmful for the electronic properties of the devices. - Similarities between the growth of GaAsN and GaPN giving strategies to improve the GaAsPN electrical properties - Clear correlations between the optical and electrical properties of dilute nitride solar cells, giving interesting tools to optimize the growth of those materials using optical measurements. - The realization of a GaAsPN solar cell on GaP with a yield of 2.25%. This results is encouraging given the thin GaAsPN absorber used in this cell

Résumé : Cette thèse se concentre sur la fabrication de cellule solaire IIIN- V sur substrat de GaP 001 et sur la croissance de couche de GaP sur Si 001. Le but est de réaliser des cellules solaires hautes efficacité sur un substrat à faible coût afin de les intégrer dans des centrales solaire photovoltaïque sous concentration. Les principaux résultats obtenus montrent : - L’importance de l’utilisation d’AlGaP en tant que couche de prénucléation pour annihiler les parois d’antiphase à l’interface GaP- Si néfaste pour les propriétés optoélectroniques des dispositifs - De nombreuses similitude entre la croissance de GaAsN et de GaPN ce qui permet d’élaborer une stratégie afin d’optimiser les propriétés optoélectroniques du GaAsPN - De fortes corrélations entre les propriétés optique et éléctriques dans les nitrures dilués - La réalisation préliminaire d’une cellule solaire monojonction sur GaP ayant un rendement encourageant de 2.25% considérant la faible épaisseur de l’absorbeur dans cette cellule 300 nm

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Keywords : Silicon Semiconductors Molecular beam epitaxy

Mots-clés : Silicium Photoluminescence Photopiles Semiconducteurs Épitaxie par faisceaux moléculaires





Author: Samy Almosni -

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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